STMicroelectronics IGBT / 115 A ±20V max. , 650 V 357 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
206-7212P
Herst. Teile-Nr.:
STGWA75H65DFB2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

115 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

357 W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 75 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient