STMicroelectronics IGBT / 145 A, 650 V 441 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
206-7206
Herst. Teile-Nr.:
STGWA100H65DFB2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

145A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

441W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

STG

Höhe

5.1mm

Breite

21.1 mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 100 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.

Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 100 A

Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

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