STMicroelectronics IGBT / 50 A, 650 V 167 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
204-9868
Herst. Teile-Nr.:
STGB30H65DFB2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

Trench Gate Field Stop

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.

Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A

Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

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