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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max.	35 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20.0V
	Anzahl an Transistoren	6
	Konfiguration	3-phasig
	Gehäusegröße	DIP26
	Montage-Typ	THT
	Channel-Typ	N

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	Marke onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max. 35 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20.0V
	Anzahl an Transistoren 6
	Konfiguration 3-phasig
	Gehäusegröße DIP26
	Montage-Typ THT
	Channel-Typ N

Datasheet - NXH35C120L2C2ESG

Das on Semiconductor Transferform-Leistungsmodul mit einem Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand, das einen Wandler/Inverter-Bremskreis enthält, der aus sechs 35-Ampere- und 1600-Volt-Gleichrichtern, sechs 35-Ampere- und 1200-Volt-IGBTs mit inversen Dioden, einem 35-Ampere- und 1200-Volt-Brems-IGBT mit Bremsdiode und einem NTC-Thermistor besteht.

Niedriger Wärmewiderstand
6 mm Abstand zwischen Stift und Kühlkörper
Lötbare Stifte
Thermistor
Bleifrei
Halogenfrei oder BFR-frei
RoHS-konform

onsemi IGBT-Modul / 35 A ±20.0V max. 6-fach, 650 V DIP26 N-Kanal

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