onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
202-5670
Herst. Teile-Nr.:
AFGHL40T65SQD
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30.0V

Verlustleistung max.

238 W

Anzahl an Transistoren

30

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.

AEC-Q101-qualifiziert
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
RoHS-konform

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