ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 185-1017P
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT00TS65DGC11
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 85 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 277 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16 x 5 x 21mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 2770pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 85 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 277 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16 x 5 x 21mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 2770pF | ||
- Ursprungsland:
- TH
ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integrierte FRD für sehr schnelle und weiche Wiederherstellung (RFN - Serie)
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integrierte FRD für sehr schnelle und weiche Wiederherstellung (RFN - Serie)
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform
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