- RS Best.-Nr.:
- 171-5593
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT30NS65DGC9
- Hersteller:
- ROHM
205 lieferbar innerhalb von 5 Werktag(en) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 5)
€ 2,564
(ohne MwSt.)
€ 3,077
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 45 | € 2,564 | € 12,82 |
50 - 95 | € 2,304 | € 11,52 |
100 - 245 | € 2,092 | € 10,46 |
250 - 495 | € 1,924 | € 9,62 |
500 + | € 1,778 | € 8,89 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 171-5593
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT30NS65DGC9
- Hersteller:
- ROHM
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | 30V |
Verlustleistung max. | 133 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-262 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | P |
Pinanzahl | 3+Tab |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.1 x 4.5 x 9mm |
Gate-Kapazität | 780pF |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |