STMicroelectronics IGBT / 29 A, 600 V 80 W, 3-Pin TO-220FP Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 60,65

(ohne MwSt.)

€ 72,80

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 50 Einheit(en) mit Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50€ 1,213€ 60,65
100 - 200€ 1,181€ 59,05
250 +€ 1,152€ 57,60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-8877
Herst. Teile-Nr.:
STGF10NB60SD
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

29A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

80W

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

3.8μs

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.75V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

30.6mm

Höhe

10.4mm

Breite

4.6 mm

Serie

Low Drop

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Energie

8mJ

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed