STMicroelectronics IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 168-8740
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT80H65DFB
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 143,67
(ohne MwSt.)
€ 172,41
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 30 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,789 | € 143,67 |
| 60 - 120 | € 4,075 | € 122,25 |
| 150 + | € 3,975 | € 119,25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-8740
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT80H65DFB
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 469W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 469W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie HB | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- KR
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 469 W TO-247-3L
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 469 W TO-247-4LD
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal