STMicroelectronics IGBT / 54 A, 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 57,24

(ohne MwSt.)

€ 68,70

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 360 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 60€ 1,908€ 57,24
90 - 480€ 1,78€ 53,40
510 - 960€ 1,734€ 52,02
990 +€ 1,692€ 50,76

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-6464
Herst. Teile-Nr.:
STGW20NC60VD
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

54A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

70ns

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.7V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.75mm

Serie

SMPS

Höhe

20.15mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links