IXYS IGBT-Modul / 320 A, 600 V 735 W, 4-Pin SOT-227 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
168-4582
Herst. Teile-Nr.:
IXGN320N60A3
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

320A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

735W

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

5kHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

Low-Frequency

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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