IXYS IGBT / 100 A, 1700 V 937 W, 3-Pin TO-247AD Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 146-4404
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-445
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYH30N170C
- Hersteller:
- IXYS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1700V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 937W | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 4V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | High Voltage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1700V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 937W | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 4V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie High Voltage | ||
Automobilstandard Nein | ||
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs mit Nennströmen von 29 bis 178 A sind gut für Anwendungen mit Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsumwandlung geeignet. Diese Geräte wurden mit der proprietären Dünnwafer-XPT-Technologie und dem hochmodernen IGBT-Prozess entwickelt und zeigen Eigenschaften wie geringeren Wärmewiderstand, geringen Tailstrom, geringen Energieverlust und hohe Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten ihrer Durchlassspannung können die neuen Hochspannungs-IGBTs parallel eingesetzt werden, was im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Spannung in Reihenschaltung eine kosteneffiziente Lösungen darstellt.
Thin wafer XPT-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hohe Effizienz
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Anwendungsbereich
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter
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