IXYS IGBT / 25 A, 2500 V 937 W, 3-Pin TO-268HV Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 146-4359
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYT25N250CHV
- Hersteller:
- IXYS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 25A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 2500V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 937W | |
| Gehäusegröße | TO-268HV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 246ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | High Voltage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 25A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 2500V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 937W | ||
Gehäusegröße TO-268HV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 246ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie High Voltage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Thin wafer XPT™-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
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