Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 625 W, 9-Pin EASY2 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
145-9513
Herst. Teile-Nr.:
FF150R12YT3BOMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

625 W

Konfiguration

Serie

Gehäusegröße

EASY2

Montage-Typ

PCB-Montage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

9

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

55.9 x 39.6 x 17mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Ursprungsland:
CN

IGBT-Module, Infineon


Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.

Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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