onsemi IGBT / 70 A ±20V max., 650 V 300 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
145-3244
Herst. Teile-Nr.:
NGTG35N65FL2WG
Hersteller:
ON Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ON Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

70 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

300 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Gate-Kapazität

3115pF

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.


IGBT, diskret, ON Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed