Starpower IGBT / 15 A ±20V max. 7-fach, 650 V 112 W PIM-Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 427-805
- Herst. Teile-Nr.:
- GD15PJX65L2S
- Hersteller:
- Starpower
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 15 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Verlustleistung max. | 112 W | |
| Gehäusegröße | PIM-Modul | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 15 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Verlustleistung max. 112 W | ||
Gehäusegröße PIM-Modul | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Starpower IGBT-Stromversorgungsmodul bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie eine robuste Kurzschlussfestigkeit. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie
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