Starpower IGBT / 10 A ±20V max. , 1200 V 96 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 427-747
- Herst. Teile-Nr.:
- DG10X12T2
- Hersteller:
- Starpower
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- RS Best.-Nr.:
- 427-747
- Herst. Teile-Nr.:
- DG10X12T2
- Hersteller:
- Starpower
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 96 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 96 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Starpower IGBT Power Discrete bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie niedrige Schaltverluste. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.
Geringer Schaltverlust
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Bleifreies Gehäuse
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
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