Starpower IGBT / 150 A ±20V max. Dual, 1200 V 1,1 kW, 7-Pin Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 427-719
- Herst. Teile-Nr.:
- GD150HFY120C8S
- Hersteller:
- Starpower
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 1,1 kW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Konfiguration | Dual | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 1,1 kW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Konfiguration Dual | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Starpower IGBT-Stromversorgungsmodul bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie eine robuste Kurzschlussfestigkeit. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.
Geringer Schaltverlust
10 μs Kurzschlussfähigkeit
Gehäuse mit niedriger Induktivität
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie
10 μs Kurzschlussfähigkeit
Gehäuse mit niedriger Induktivität
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
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