STMicroelectronics IGBT / 119 A Einfach, 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-008
Herst. Teile-Nr.:
STGWA50M65DF2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

119A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

576W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Konfiguration

Einfach

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

20.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer erweiterten proprietären Trenngatter-Fieldtop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Sicherere Parallelführung

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