IXYS IGBT-Modul / 270 A ±20V max., 1200 V, 5-Pin Y3 DCB N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Eingestellt
RS Best.-Nr.:
194-394
Herst. Teile-Nr.:
MID200-12A4
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

270 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

Y3 DCB

Konfiguration

Single

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

5

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

110 x 62 x 30mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

IGBT-Module IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links