IXYS IGBT-Modul / 90 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin Y4 M5 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
193-880
Herst. Teile-Nr.:
MII75-12A3
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

90 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

Y4 M5

Konfiguration

Serie

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

94 x 34 x 30mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

IGBT-Module IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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