IXYS IGBT-Modul / 90 A, 1200 V 370 W, 7-Pin Y4-M5 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
193-880
Herst. Teile-Nr.:
MII75-12A3
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

90A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gehäusegröße

Y4-M5

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Schaltgeschwindigkeit

30kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.7V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

94mm

Serie

NPT

Höhe

30mm

Automobilstandard

Nein

IGBT-Module IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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