- RS Best.-Nr.:
- 258-0658
- Herst. Teile-Nr.:
- BGA5L1BN6E6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 258-0658
- Herst. Teile-Nr.:
- BGA5L1BN6E6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der rauscharme Verstärker mit hoher Verstärkung von Infineon für LTE-Hochband ist eine LTE-Datenrate, die durch den rauscharmen Verstärker erheblich verbessert werden kann. Die integrierte Bypass-Funktion
erhöht den gesamten Systemdynamikbereich und führt zu mehr Flexibilität im HF-Frontend. Im Modus mit hoher Verstärkung bietet der LNA die beste Rauschanzeige, um hohe Datenraten selbst an der LTE-Zellenkante zu gewährleisten. Näher an der Basisstation kann der Bypass-Modus aktiviert werden, um den Stromverbrauch zu senken.
erhöht den gesamten Systemdynamikbereich und führt zu mehr Flexibilität im HF-Frontend. Im Modus mit hoher Verstärkung bietet der LNA die beste Rauschanzeige, um hohe Datenraten selbst an der LTE-Zellenkante zu gewährleisten. Näher an der Basisstation kann der Bypass-Modus aktiviert werden, um den Stromverbrauch zu senken.
Niedriger Stromverbrauch von 8,5 mA
Mehrzustandssteuerung: Bypass- und Hochverstärkungsmodus
Ultrakleines leitungsfreies TSNP-6-10-Gehäuse
HF-Ausgang intern auf 50 Ohm abgestimmt
Geringe Anzahl externer Bauteile
Mehrzustandssteuerung: Bypass- und Hochverstärkungsmodus
Ultrakleines leitungsfreies TSNP-6-10-Gehäuse
HF-Ausgang intern auf 50 Ohm abgestimmt
Geringe Anzahl externer Bauteile
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Verstärker-Typ | Rauscharm |
Leistungsverstärkung | 18,5 dB |
Ausgangsleistung | 60mW |
Rauschfaktor | 1.2dB |
Arbeitsfrequenz max. | 1000 MHz |
Gehäusegröße | TSNP-6-10 |
Pinanzahl | 6 |
- RS Best.-Nr.:
- 258-0658
- Herst. Teile-Nr.:
- BGA5L1BN6E6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon