Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V 1.3V / 0.4 A

RS Best.-Nr.:: 480-1122
Herst. Teile-Nr.:: G3VM-61H1
Hersteller:: Omron

Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V 1.3V / 0.4 A

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Omron
	Produkt Typ	Halbleiterausgang
	Laststrom max	0.4A
	Montageart	Oberfläche
	Lastspannung max	60V
	Steuerspannung max	1.3V
	Serie	G3VM
	Anschlusstyp	Schraube
	Kontakt Konfiguration	SPST
	Betriebstemperatur min.	-30°C
	Schaltfunktion	DC-Schaltung
	Maximale Betriebstemperatur	80°C
	Höhe	3.65mm
	Breite	6.4 mm
	Länge	7.12mm
	Normen/Zulassungen	EN, RoHS, UL
	Kapazität	130pF
	Ausgangstyp	MOSFET

	Alle auswählen
	Marke Omron
	Produkt Typ Halbleiterausgang
	Laststrom max 0.4A
	Montageart Oberfläche
	Lastspannung max 60V
	Steuerspannung max 1.3V
	Serie G3VM
	Anschlusstyp Schraube
	Kontakt Konfiguration SPST
	Betriebstemperatur min. -30°C
	Schaltfunktion DC-Schaltung
	Maximale Betriebstemperatur 80°C
	Höhe 3.65mm
	Breite 6.4 mm
	Länge 7.12mm
	Normen/Zulassungen EN, RoHS, UL
	Kapazität 130pF
	Ausgangstyp MOSFET

Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61H1.

Das MOSFET-Relais G3VM-61H1 ist Bestandteil der weiterentwickelten G3VM-S1-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. 1-poliges Schließer-Relais, SMD-Gehäuse mit 6 Anschlussklemmen. Dieses Serienrelais dient zum Schalten von Minuten- und Analogsignalen.

Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61H1

• MOSFET-Halbleiterrelais.

• SMD-Relais-Anschlussklemmen.

• Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.

• SOP6 (Small Outline).

• 6 Relais-Anschlussklemmen.

• Lastspannung: 60 V.

• Laststrom: 400 mA max.

• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.

• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.

• Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.

• SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.

• SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.

• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 1500 V eff.

• Schalten von analogen Signalen

• einpoliger Einfachschalter.

• RoHS-konform.

Zusätzliche Merkmale des Universal-Halbleiterrelais G3VM-61H1

• Lange Betriebslebensdauer.

• Geringer Leckstrom.

• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.

• Hohe Isolierung.

• Geräuscharmer Betrieb.

• Hochgeschwindigkeitsschalten.

• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.

• Foto-LED-Eingang.

• Statusausgang.

• Kompakt

• Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.

• Löttemperatur 260 °C.

Andere Anwendungsbeispiele.

• Prüf- und Messgeräte.

• Kommunikationsgeräte.

• Testausrüstung für die Halbleiterfertigung.

• Breitbandsysteme.

• Datenlogger.

• Unterhaltungssysteme.

MOSFET-Halbleiterrelais G3VM

Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang

Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie

Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität

Lange Lebensdauer

Viele Modelle verfügbar

Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen