Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität Lange Lebensdauer Viele Modelle verfügbar Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Das G3VM-351E-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-3-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit DIP-Gehäuse (Dual in-Line) mit 6 Leiterplatten-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.
Merkmale und Vorteile des G3VM-351E-Standard-Halbleiterrelais.
• MOSFET-Halbleiterrelais. • SMD-Relais-Anschlussklemmen. • DIP 6 (Dual-in-Line-Gehäuse). • Kontaktform: 1-poliger Schließer (1a). • Durchsteckrelais. • 6 Relais-Anschlussklemmen. • Lastspannung: 350 V ac. • Laststrom: 120 (240) mA max. • Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ohm. • Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max. • Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF. • SSR-Einschaltzeit: 1 ms max. • SSR-Abschaltzeit: 1 ms max. • Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff. • RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-351E.
• Lange Betriebslebensdauer. • Geringer Leckstrom. • SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit. • Hohe Isolierung. • Geräuscharmer Betrieb. • Hochgeschwindigkeitsschalten. • Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
