Panasonic AQV Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V ac/dc / 2.5 A
- RS Best.-Nr.:
- 247-4208
- Herst. Teile-Nr.:
- AQV252GA
- Hersteller:
- Panasonic
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|---|---|---|
| 50 - 50 | € 6,739 | € 336,95 |
| 100 - 200 | € 6,483 | € 324,15 |
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- RS Best.-Nr.:
- 247-4208
- Herst. Teile-Nr.:
- AQV252GA
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- Panasonic
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Panasonic | |
| Laststrom max | 2.5A | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 60V ac/dc | |
| Serie | AQV | |
| Anschlusstyp | Durchsteckmontage | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 10nA | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Kapazität | 0.8pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Panasonic | ||
Laststrom max 2.5A | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 60V ac/dc | ||
Serie AQV | ||
Anschlusstyp Durchsteckmontage | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 10nA | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Kapazität 0.8pF | ||
- Ursprungsland:
- JP
Die PhotoMOS-Relais der AQV-Serie von Panasonic sind Mosfet-fähige Halbleiterrelais mit niedrigem Leckstrom im Aus-Zustand und stabilem Ein-Widerstand über die gesamte Lebensdauer des Geräts. Diese Relais bieten niedrige CxR-Werte, eine hohe optische Isolierung zwischen Eingang und Ausgang sowie Gleichstrom- und Wechselstromverarbeitung. Schnelle Schaltgeschwindigkeit, lange Lebensdauer, hohe Vibrations- und Schockfestigkeit, keine Lichtbogenbildung, kein Flattern, kein Schaltgeräusch. Es handelt sich um ein duales Gerät (AC/DC) mit einer Nennspannung von 60 V und einem Laststrom von 2,5 A.
Erhöhter Laststrom in einem kompakten DIP-Gehäuse
Verbesserte Spezifikationen ermöglichen den Einsatz anstelle von Quecksilber- und mechanischen Relais
Geringer Einschaltwiderstand
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