Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V / 400 mA
- RS Best.-Nr.:
- 237-9925
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-80-381
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61QVH(TR05)
- Hersteller:
- Omron
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Omron | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Laststrom max | 400mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 60V | |
| Lastspannung min | 60V | |
| Serie | G3VM | |
| Anschlusstyp | Leiterplatten-Anschlussklemme | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Kapazität | 0.8pF | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Omron | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Laststrom max 400mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 60V | ||
Lastspannung min 60V | ||
Serie G3VM | ||
Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Kapazität 0.8pF | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
- Ursprungsland:
- JP
Das kleinste S-VSON(L)-Gehäuse-MOSFET-Relais der Welt von Omron mit strombegrenzenden internen Widerstand auf der Eingangsseite. Diese MOSFET-Relais bieten aufgrund ihres Funktionsprinzips eine hervorragende E/A-Isolierung. Er wandelt die Spannung in das Licht um und überträgt durch das Lichtsignal, daher sind Eingang und Ausgang isoliert. Die Standardmodelle bieten 2500 V eff zwischen Eingang und Ausgang. Es sind auch hochwertige Produkte mit 5000 V ac erhältlich. 3.750-V-ac-Produkte wurden ebenfalls in die SOP-Gehäuseserie aufgenommen. Da MOSFET-Relais keine mechanischen Kontakte haben, ist es möglich, Schaltgeräusche in Ihren Anwendungen zu eliminieren, indem ein MOSFET anstelle eines elektromechanischen Relais verwendet wird. Im Vergleich zum Triac reduziert der MOSFET die Totzone erheblich. Die Eingangswellenform des mikroanalogen Signals leidet nicht wie bei einem Triac und wird im Grunde ohne Verzerrung in Ausgangswellenform umgewandelt.
Extrem kleine Größe und Gewicht
Niedriger Treiberstrom
Lange Lebensdauer
Geringer Leckstrom
Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
Hochgeschwindigkeitsschalten
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