Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang SPST 200 V / 0.75 A
- RS Best.-Nr.:
- 205-6865
- Herst. Teile-Nr.:
- AQV257A
- Hersteller:
- Panasonic
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Panasonic | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Laststrom max | 0.75A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 200V | |
| Lastspannung min | 160V | |
| Serie | PhotoMOS | |
| Anschlusstyp | Durchsteckmontage | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Kapazität | 3pF | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Panasonic | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Laststrom max 0.75A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 200V | ||
Lastspannung min 160V | ||
Serie PhotoMOS | ||
Anschlusstyp Durchsteckmontage | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Widerstand im eingeschalteten Zustand 4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Kapazität 3pF | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Panasonic DIP6-polige Typ mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und verstärkter Isolierung.
Große Variation von 40 V, 60 V, 100 V, 200 V, 250 V, 400 V, 600 V, 1000 V und 1500 V Lastspannung
Niedriger Einschaltwiderstand von Typ. 0,6 O (AQV251)
Verstärkte Isolierung von 5000 V eff E/A-Isolierung
Verfügbar
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