Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 350 V / 0.4 A
- RS Best.-Nr.:
- 205-6855
- Herst. Teile-Nr.:
- AQV210EA
- Hersteller:
- Panasonic
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Panasonic | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Laststrom max | 0.4A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 350V | |
| Lastspannung min | 280V | |
| Serie | PhotoMOS | |
| Anschlusstyp | Durchsteckmontage | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 35Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Kapazität | 1.5pF | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Panasonic | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Laststrom max 0.4A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 350V | ||
Lastspannung min 280V | ||
Serie PhotoMOS | ||
Anschlusstyp Durchsteckmontage | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Widerstand im eingeschalteten Zustand 35Ω | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Kapazität 1.5pF | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Panasonic DIP6-polige Typ.
Verstärkte Isolierung von E/A
Isolationsspannung: 5000 V (verstärkte Isolierung)
Steuert analoge Low-Level-Signale - Foto-MOS verfügen über einen extrem niedrigen geschlossenen Stromkreis Offset-Spannung zur Steuerung von
Analoge Low-Level-Signale ohne Verzerrung.
Stabiler Einschaltwiderstand
Niedriger Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von max 1 μA
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