Infineon Seriell (I2C) Automobil FRAM 64 kB, 8k x 8 bit Seriell-I2C SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7381
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL64B-DG
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Produkt Typ | Seriell (I2C) Automobil FRAM | |
| Organisation | 8k x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Produkt Typ Seriell (I2C) Automobil FRAM | ||
Organisation 8k x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 64-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenaufbewahrung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu EEPROM führt es Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Schnelle serielle 2-Draht-Schnittstelle
AEC Q100 Grade 1 konform
Hohe Ausdauer mit 10 Billionen Lese- und Schreibvorgängen
Fortschrittlicher ferroelektrischer Prozess mit hoher Zuverlässigkeit
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