Infineon FRAM 128 kB, 16k x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7321
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B128Q-SXE
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 128kB | |
| Organisation | 16k x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 33MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Anzahl der Wörter | 16k | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 128kB | ||
Organisation 16k x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 33MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Anzahl der Wörter 16k | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 128-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Softwareschutz durch Schreibsperrbefehl
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