Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit I2S SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5258
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064J-SXET
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | I2S | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp I2S | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein nicht flüchtiger 64-Kbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Konform mit AEC Q100 Klasse 1
Schnelle serielle Zwei-Draht-Schnittstelle
Unterstützt alte Zeitvorgänge für 100 kHz und 400 kHz
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