Infineon FRAM 1 MB, 128K x 8 bit 450 ns 2-adriger I2C Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5405
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24V10-G
- Hersteller:
- Infineon
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- FM24V10-G
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | 2-adriger I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 3.4MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 4.97mm | |
| Höhe | 1.38mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp 2-adriger I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 3.4MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 4.97mm | ||
Höhe 1.38mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.98 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
- Ursprungsland:
- US
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.