Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit 3000 ns Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-7555P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064J-SXE
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*
€ 58,00
(ohne MwSt.)
€ 69,60
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 05. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | € 2,90 |
| 50 - 98 | € 2,85 |
| 100 - 198 | € 2,84 |
| 200 + | € 2,53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 181-7555P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064J-SXE
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.8mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 3000ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 4.8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.8mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
- Ursprungsland:
- US
64-Kbit-ferro-E-Random Access Memory (F-RAM) logisch organisiert als 8K x 8
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
120° A (typ.) Wirkstrom bei 100 kHz
6° A (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)