ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 8μs, 750nm → 1120nm, 2-Pin Obere LED
- RS Best.-Nr.:
- 912-8295
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 320 FA-Z
- Hersteller:
- ams OSRAM
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- ams OSRAM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Fototransistor TOPLED®-Gehäuse
Diese NPN-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Die TOPLED®-Fototransistoren haben ein SMD-PLCC-2-Gehäuse mit eine klaren oder tageslichtdiffusen Linse.
Merkmale der TOPLED®-Fototransistoren:
Hohe Linearität
PLCC-2-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Halber Winkel: 60°
Geeignet für alle Lötmethoden
Hohe Linearität
PLCC-2-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Halber Winkel: 60°
Geeignet für alle Lötmethoden
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 8µs |
| Regelanstiegszeit | 8µs |
| Dunkelstrom max. | 50nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ± 60° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | SMD |
| Gehäusetyp | Obere LED |
| Abmessungen | 3.4 x 3 x 1.92mm |
| Kollektorstrom | 15mA |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Wellenlänge min. | 750nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 750 → 1120 nm |
| Sättigungsspannung | 150mV |
| Breite | 3mm |
| Höhe über Panel | 1.92mm |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 35 V |
| Länge | 3.4mm |
- RS Best.-Nr.:
- 912-8295
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 320 FA-Z
- Hersteller:
- ams OSRAM