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Fototransistoren
ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 50μA, 2-Pin PLCC
RS Best.-Nr.:
665-5423P
Herst. Teile-Nr.:
SFH 325 FA-3-Z
Hersteller:
ams OSRAM
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
665-5423P
Herst. Teile-Nr.:
SFH 325 FA-3-Z
Hersteller:
ams OSRAM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Technische Daten des gezeigten Artikels
SFH 325 FA Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package Data Sheet
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Konformitätserklärung
Fototransistor SIDELED®-Gehäuse
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.
Hohe Linearität
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Eigenschaft
Wert
Erkennbare Spektren
IR
Fallzeit typ.
7µs
Regelanstiegszeit
7µs
Anzahl der Kanäle
1
Lichtstrom max.
50µA
Dunkelstrom max.
50nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel
120 °
Polarität
NPN
Anzahl der Pins
2
Montage Typ
SMD
Gehäusetyp
PLCC
Abmessungen
4.2 x 4.2 x 3.8mm
Kollektorstrom
15mA
Wellenlänge max.
1120nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich
750 → 1120 nm
Wellenlänge min.
750nm
Serie
SIDELED
Länge
4.2mm
Höhe über Panel
3.8mm
Breite
4.2mm
