onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

RS Best.-Nr.:: 184-1441
Herst. Teile-Nr.:: QSD124
Hersteller:: onsemi

onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

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Hersteller:: onsemi

Datenblätter und Anleitungen

Datasheet QSD124

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.

NPN-Silizium-Fototransistor
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	7µs
Regelanstiegszeit	7µs
Anzahl der Kanäle	1
Dunkelstrom max.	100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	±12 °
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	T1.3/4
Abmessungen	6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom	39mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	880 nm
Wellenlänge max.	880nm
Durchmesser	6.1mm
Ausgangssignaltyp	Phototransistor
Kollektor-Emitter-Spannung	30V
Höhe über Panel	8.77mm
Sättigungsspannung	0.4V
Emitter-Kollektor-Spannung	5V

RS Best.-Nr.:: 184-1441
Herst. Teile-Nr.:: QSD124
Hersteller:: onsemi

Datasheet QSD124