onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4
- RS Best.-Nr.:
- 184-1083
- Herst. Teile-Nr.:
- QSD123
- Hersteller:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 184-1083
- Herst. Teile-Nr.:
- QSD123
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.
NPN-Silizium-Fototransistor
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 7µs |
| Regelanstiegszeit | 7µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Dunkelstrom max. | 100nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±12 ° |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | T1.3/4 |
| Abmessungen | 6.1 Dia. x 8.77mm |
| Kollektorstrom | 16mA |
| Wellenlänge max. | 880nm |
| Durchmesser | 6.1mm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 880 nm |
| Höhe über Panel | 8.77mm |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30V |
| Ausgangssignaltyp | Phototransistor |
| Sättigungsspannung | 0.4V |