Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1

RS Best.-Nr.:: 165-2868
Herst. Teile-Nr.:: TEFT4300
Hersteller:: Vishay

Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1

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RS Best.-Nr.:: 165-2868
Herst. Teile-Nr.:: TEFT4300
Hersteller:: Vishay

Datenblätter und Anleitungen

Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: PH

Informationen zur Produktgruppe

Fototransistor der Serie TEFT4300

Die Serie TEFT4300 von Vishay Semiconductor umfasst Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie befinden sich in durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Standardgehäusen. Ein schwarzes Gehäuse aus Kunststoff bietet einen Tageslicht-Sperrfilter für sichtbares Umgebungslicht. Der TEFT4300 ist ideal für Anwendungen wie z. B. optische Schalter, Zähler und Sortierer, Unterbrecher, Encoder und Positionssensoren.

Merkmale der TEFT4300-Fototransistoren:
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Tageslichtfilter
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 30°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C

IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	2.3µs
Regelanstiegszeit	2µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	3200µA
Dunkelstrom max.	200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	60°
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	T1
Abmessungen	3.2 x 3.9 x 4.5mm
Kollektorstrom	50mA
Wellenlänge min.	875nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	875 → 1000 nm
Wellenlänge max.	1000nm
Breite	3.9mm
Länge	3.2mm
Höhe über Panel	4.5mm