OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 850nm Si, SMD Smart-DIL-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 912-8318
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 S-Z
- Hersteller:
- OSRAM Opto Semiconductors
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 1500)
€ 0,335
(ohne MwSt.)
€ 0,402
(inkl. MwSt.)
3000 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 - 3000 | € 0,335 | € 502,50 |
| 4500 + | € 0,318 | € 477,00 |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 912-8318
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 S-Z
- Hersteller:
- OSRAM Opto Semiconductors
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse
Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm |
| Gehäusetyp | Smart-DIL |
| Montage Typ | SMD |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | 400nm |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Fallzeit typ. | 0.02µs |
| Länge | 4.5mm |
| Breite | 3.7mm |
| Höhe über Panel | 1.2mm |
| Kurzschlussstrom | 80µA |
| Regelanstiegszeit | 0.02µs |
| Polarität | Plus |