ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-8895P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 213 FA
- Hersteller:
- ams OSRAM
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- SFH 213 FA
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- ams OSRAM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
| Eigenschaft | Wert |
| Erkennbare Spektren | IR |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm |
| Gehäusetyp | T1.3/4 |
| Montage Typ | THT |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | 750nm |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Länge | 5.9mm |
| Breite | 5mm |
| Höhe über Panel | 9mm |
| Spitzenphotosensibilität | 0.65A/W |
| Polarität | Positiv |