ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-7785P
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX 61
- Hersteller:
- ams OSRAM
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
PIN-Fotodiode, TO-39-Gehäuse
Die BPX 61 von OSRAM Opto Semiconductors ist eine Silizium-PIN-Fotodiode in einem hermetisch abgedichteten TO-39-Gehäuse. Sie wurde für Anwendungen mit einer Wellenlänge von 400 bis 1100 nm entwickelt. Geeignete Anwendungen für die Fotodiode BPX 61 umfassen: Industrieelektronik, Fotointerruptoren, IR-Fernbedienung und für Steuerungs-/und Antriebskreise.
Merkmale der Fotodiode BPX 61:
TO-39-Gehäuse (ähnlich wie TO-5)
Hermetisch abgedichteter Metallzylinder
Geeignet für Anwendungen bis zu 125 °C
Kurze Schaltzeit
TO-39-Gehäuse (ähnlich wie TO-5)
Hermetisch abgedichteter Metallzylinder
Geeignet für Anwendungen bis zu 125 °C
Kurze Schaltzeit
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm |
Gehäusetyp | TO5 |
Verstärkerfunktion | Nein |
Montage Typ | THT |
Anzahl der Pins | 2 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 400nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Länge | 9.5mm |
Breite | 9.5mm |
Höhe über Panel | 3.7mm |
Spitzenphotosensibilität | 0.62A/W |
Polarität | Positiv |