OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 60 ° 850 nm, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

Alle Fotodioden anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 15 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 10,29

(ohne MwSt.)

€ 12,345

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 565 Einheit(en) mit Versand ab 27. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
15 - 70€ 0,686
75 - 370€ 0,494
375 - 745€ 0,338
750 +€ 0,302

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
652-0207P
Herst. Teile-Nr.:
BPW 34 S
Hersteller:
OSRAM Opto Semiconductors
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

OSRAM Opto Semiconductors

Erkannte Spektren

Sichtbares Licht, Infrarot

Produkt Typ

Fotodiode

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

850nm

Gehäusegröße

DIP

Montageart

SMD

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Pins

2

Wellenlänge min.

400nm

erfasste Wellenlänge max.

1100nm

Fallzeit typ.

0.02μs

Betriebstemperatur min.

-40°C

Verstärkt

Nein

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

4.5mm

Höhe

1.2mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

60 °

Kurzschlussstrom

80μA

Durchschlagspannung

16V

Regelanstiegszeit

0.02μs

Automobilstandard

Nein

Dunkelstrom

2nA

Polarität

Invertiert

Leerlaufspannung

330mV

PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse


Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors


Verwandte Links