onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD SMD-Gehäuse 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
185-9622
Herst. Teile-Nr.:
MICROFJ-30020-TSV-TR1
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Fotodiode

Erkannte Spektren

Infrarot

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

970nm

Gehäusegröße

SMD

Montageart

SMD

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Pins

4

Wellenlänge min.

200nm

erfasste Wellenlänge max.

900nm

Fallzeit typ.

0.6ns

Verstärkt

Nein

Betriebstemperatur min.

-25°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

0.46mm

Länge

3.16mm

Breite

3.16mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

65 °

Automobilstandard

Nein

Serie

J

Regelanstiegszeit

0.6ns

Durchschlagspannung

24.7V

Dunkelstrom

1nA

Polarität

Vorwärts

Ursprungsland:
IE
Mikrozellen mit hoher Dichte

Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem "schnellen Ausgang" von ON Semiconductor

Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C

Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV

Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV

Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch)

Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET

Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm

Vorspannung von< 30 V.

Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm

Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit

Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig

Branchenführende Gleichmäßigkeit

Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei

Anwendungen

Medizinische Bildgebung

Gefahr und Gefahr

3D-Bereichswahl und -Erfassung

Biophotonik und Wissenschaft

Hochenergiephysik

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