Vishay TEFD Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 145-1980
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFD4300
- Hersteller:
- Vishay
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| 1000 - 1000 | € 0,227 | € 227,00 |
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- RS Best.-Nr.:
- 145-1980
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFD4300
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Informationen zur Produktgruppe
PIN-Fotodioden Serie TEFD4300
Die Serie TEFD4300 von Vishay Semiconductor umfasst PIN-Fotodioden mit einer hohen Strahlungsempfindlichkeit. Sie werden in durchkontaktierten Standardgehäusen in 3 mm (T-1) in klarer Ausführung und mit Tageslichtfilter geliefert. Geeignete Anwendungen umfassen: Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren für Datenübertragung, optische Schalter, Zähler und Sortierer, Unterbrecher, Codierer und Positionssensoren.
Leistungsmerkmale:
• Gehäusetyp: Bleihaltig
• Gehäuseform: T-1
• Abmessungen (in mm): Ø 3
• Hohe Strahlungsempfindlichkeit
• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
• Schnelle Reaktionszeiten
• Winkel mit halber Empfindlichkeit: Φ = ±20°
• Gehäuse passend für IR-Sender der Serie VSLB3940
• Gehäuseform: T-1
• Abmessungen (in mm): Ø 3
• Hohe Strahlungsempfindlichkeit
• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
• Schnelle Reaktionszeiten
• Winkel mit halber Empfindlichkeit: Φ = ±20°
• Gehäuse passend für IR-Sender der Serie VSLB3940
Anwendungen:
• Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor für die Datenübertragung
• Optische Schalter
• Zähler und Sortierer
• Unterbrecher
• Encoder
• Positionssensoren
• Optische Schalter
• Zähler und Sortierer
• Unterbrecher
• Encoder
• Positionssensoren
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
| Eigenschaft | Wert |
| Erkennbare Spektren | IR |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 950nm |
| Gehäusetyp | T1 |
| Montage Typ | THT |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | 350nm |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Fallzeit typ. | 100ns |
| Höhe über Panel | 4.5mm |
| Durchmesser | 3.2mm |
| Serie | TEFD |
| Regelanstiegszeit | 100ns |
| Kurzschlussstrom | 15µA |
| Durchschlagspannung | 60V |