Vishay TEFD Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 145-1980
Herst. Teile-Nr.:: TEFD4300
Hersteller:: Vishay

Vishay TEFD Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: TEFD4300
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Datenblätter und Anleitungen

TEFD4300, Silicon PIN Photodiode

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: PH

Informationen zur Produktgruppe

PIN-Fotodioden Serie TEFD4300

Die Serie TEFD4300 von Vishay Semiconductor umfasst PIN-Fotodioden mit einer hohen Strahlungsempfindlichkeit. Sie werden in durchkontaktierten Standardgehäusen in 3 mm (T-1) in klarer Ausführung und mit Tageslichtfilter geliefert. Geeignete Anwendungen umfassen: Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren für Datenübertragung, optische Schalter, Zähler und Sortierer, Unterbrecher, Codierer und Positionssensoren.

Leistungsmerkmale:

• Gehäusetyp: Bleihaltig
• Gehäuseform: T-1
• Abmessungen (in mm): Ø 3
• Hohe Strahlungsempfindlichkeit
• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
• Schnelle Reaktionszeiten
• Winkel mit halber Empfindlichkeit: Φ = ±20°
• Gehäuse passend für IR-Sender der Serie VSLB3940

Anwendungen:

• Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor für die Datenübertragung
• Optische Schalter
• Zähler und Sortierer
• Unterbrecher
• Encoder
• Positionssensoren

IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	950nm
Gehäusetyp	T1
Montage Typ	THT
Verstärkerfunktion	Nein
Anzahl der Pins	2
Diodenmaterial	Si
Wellenlänge min.	350nm
Wellenlänge max.	1120nm
Fallzeit typ.	100ns
Höhe über Panel	4.5mm
Durchmesser	3.2mm
Serie	TEFD
Kurzschlussstrom	15µA
Regelanstiegszeit	100ns
Durchschlagspannung	60V