Vishay Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 60 ° 940 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 637-748
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMD8083
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 2,05
(ohne MwSt.)
€ 2,46
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | € 2,05 |
| 25 - 99 | € 2,00 |
| 100 - 499 | € 1,97 |
| 500 + | € 1,81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 637-748
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMD8083
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | |
| Produkt Typ | Silizium-PIN-Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 940nm | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 30ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020 | |
| Breite | 2mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Länge | 3.2mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60 ° | |
| Durchschlagspannung | 20V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Regelanstiegszeit | 30ns | |
| Dunkelstrom | 10nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | ||
Produkt Typ Silizium-PIN-Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 940nm | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 30ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020 | ||
Breite 2mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Länge 3.2mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 ° | ||
Durchschlagspannung 20V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Regelanstiegszeit 30ns | ||
Dunkelstrom 10nA | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Hochgeschwindigkeits- und hochempfindliche PIN-Fotodiode von Vishay mit verbesserter Empfindlichkeit für sichtbares Licht. Es handelt sich um ein flaches SMD-Gerät (Surface Mount Device) mit einem Chip mit einer empfindlichen Fläche von 2,8 mm2, das sichtbare und nahe Infrarotstrahlung erkennt.
Verbesserte Empfindlichkeit
Geeignet für sichtbare und Nahinfrarotstrahlung
Kompatibel mit Infrarot-Reflow-Lötverfahren
Verwandte Links
- Vishay Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung Oberfläche SMD-Gehäuse
- Vishay AEC-Q101 Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung ±65 ° 940 nm9 mm-Gehäuse 4-Pin
- Vishay TEFD4300F Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung ±20 ° 950 nm, Durchsteckmontage T-1-Gehäuse 2-Pin
- Vishay AEC-Q101 Silizium-PIN-Fotodiode Infrarot ±15 ° 940 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse 2-Pin
- Vishay BP104 Silizium-PIN-Fotodiode Infrarot ±65 ° 950 nm, Durchsteckmontage Drahtanschluss-Gehäuse 2-Pin
- Vishay BPV10 Fotodiode Sichtbare Infrarotstrahlung Durchsteckmontage T-1 3/4-Gehäuse
- Hamamatsu Photonics S12023 PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung 800 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 3-Pin
- Broadcom AEPD PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung ±19 ° 960 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse 3-Pin