Infineon NOR S25FL064L Flash-Speicher 64 MB, SPI, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5364
- Herst. Teile-Nr.:
- S25FL064LABMFM013
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Zellen-Typ | NOR | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Timing Typ | DDR | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q1 Klasse 1 | |
| Serie | S25FL064L | |
| Versorgungsstrom | 20mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Zellen-Typ NOR | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Timing Typ DDR | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q1 Klasse 1 | ||
Serie S25FL064L | ||
Versorgungsstrom 20mA | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon S25FL064L Serie Flash-Speicher, 64 MB Speichergröße, 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung - S25FL064LABMFM013
Dieser Flash-Speicher ist ein serielles NOR-Gerät, das für eingebettete Systeme entwickelt wurde, die einen nichtflüchtigen Code und eine Datenspeicherung erfordern. Es arbeitet über einen breiten Versorgungsbereich und eignet sich für raue Umgebungen. Es bietet eine kompakte SPI-Schnittstelle in einem Industriestandard-Gehäuse für integrierte Firmware und Datenspeicherung in platzbeschränkten Designs.
Merkmale und Vorteile:
• 108 MHz Taktfrequenz für schnellere Datenübertragungen
• DDR-Timing verbessert den Lese-Durchsatz für die Ausführung an Ort und Stelle
• Die Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V reduziert die Komplexität des Stromversorgungsdesigns
• Der Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C ermöglicht den Betrieb in extremen Umgebungen
• 20 mA Versorgungsstrom minimiert den aktiven Stromverbrauch
• DDR-Timing verbessert den Lese-Durchsatz für die Ausführung an Ort und Stelle
• Die Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V reduziert die Komplexität des Stromversorgungsdesigns
• Der Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C ermöglicht den Betrieb in extremen Umgebungen
• 20 mA Versorgungsstrom minimiert den aktiven Stromverbrauch
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Firmware-Speicherung in Kfz-Steuereinheiten
• Ideal für industrielle Sensorknoten-Programmspeicher
• Wird mit eingebetteten Prozessoren zur Speicherung des Bootcodes verwendet
• Kann zur Datenprotokollierung in Hochtemperatursystemen verwendet werden
• Wird für Firmware-Updates in Fahrzeugen verwendet
• Ideal für industrielle Sensorknoten-Programmspeicher
• Wird mit eingebetteten Prozessoren zur Speicherung des Bootcodes verwendet
• Kann zur Datenprotokollierung in Hochtemperatursystemen verwendet werden
• Wird für Firmware-Updates in Fahrzeugen verwendet
Welche Schnittstelle nutzt er für die Kommunikation?
Es verwendet eine serielle SPI-Schnittstelle mit einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für ein einfaches Leiterplatten-Routing.
Wie ist der Speicher für die Systemzuordnung organisiert?
Der Speicher ist in 8 MB-Sektoren innerhalb einer Gesamtkapazität von 64 MB organisiert, um die Partitionierung zu vereinfachen.
Welche Art von Blitzzellen ist implementiert und warum ist das wichtig?
Die NOR-Zellenarchitektur ist implementiert, um eine direkte Codeausführung aus dem Speicher und Lesevorgänge mit zufälligem Zugriff zu ermöglichen.
Ist sie für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet?
Ja, er erfüllt die Anforderungen der AEC-Q1-Klasse 1 für Automobilanwendungen.
Welche Zulassungen und Umweltstandards gelten?
Das Gerät ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen an eingeschränkte Stoffe.
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