Infineon S29AL Flash-Speicher 16MBit, 2M x 8 bit, CFI, 70ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 193-8786
- Herst. Teile-Nr.:
- S29AL016J70TFI013
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 16MBit | |
| Interface-Typ | CFI | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Organisation | 2M x 8 bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Zellen-Typ | NOR | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Block-Organisation | Asymmetrisch | |
| Länge | 12mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 18.4mm | |
| Abmessungen | 18.4 x 12 x 1.05mm | |
| Anzahl der Wörter | 2M | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Serie | S29AL | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 16MBit | ||
Interface-Typ CFI | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Organisation 2M x 8 bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Zellen-Typ NOR | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Block-Organisation Asymmetrisch | ||
Länge 12mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 18.4mm | ||
Abmessungen 18.4 x 12 x 1.05mm | ||
Anzahl der Wörter 2M | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Serie S29AL | ||
Der S29AL016J ist ein 16-Mbit/s-3.0-Flash-Speicher, der als 2.097152 Byte oder 1.048.576 Wörter organisiert ist. Das Gerät wird in 48-Ball Fine-pitch BGA (0,8 mm Rastermaß), 64-Ball Fortified BGA (1,0 mm Rastermaß) und 48-poligen TSOP-Gehäusen angeboten. Die wortweiten Daten (x16) werden auf DQ15-DQ0 angezeigt, die byteweiten (x8) Daten auf DQ7-DQ0. Dieses Gerät wurde für die systeminterne Programmierung mit der 3,0-Volt-VCC-Standardversorgung des Systems entwickelt. Für Schreib- oder Löschvorgänge sind keine 12,0 V VPP oder 5,0 VCC erforderlich. Das Gerät kann auch in Standard-EPROM-Programmiergeräten programmiert werden.
Das Gerät bietet eine Zugriffszeit von 55 ns, sodass Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren ohne Wartezustände betrieben werden können. Zur Beseitigung von Bus-Konflikten verfügt das Gerät über separate Steuerelemente für Chip-Aktivierung (CE#), Schreibfreigabe (WE#) und Ausgangsfreigabe (OE#).
Die Geräteprogrammierung erfolgt durch Ausführen der Programmbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Program-Algorithmus ein interner Algorithmus gestartet, der automatisch die Programm-Impulsbreiten einstuft und den korrekten Zellenrand verifiziert. Der Unlock Bypass-Modus faster Programmierzeiten, da nur zwei Schreibzyklen zum Programmieren von Daten anstelle von vier benötigt werden.
Das Löschen des Geräts erfolgt durch Ausführen der Löschbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Erase-Algorithmus gestartet, ein interner Algorithmus, der das Array automatisch vorprogrammiert (wenn es nicht bereits programmiert ist), bevor der Löschvorgang ausgeführt wird. Während des Löschvorgangs setzt das Gerät automatisch eine Zeitmessung der Löschimpulsbreiten ein und prüft den korrekten Zellenrand. Das Hostsystem kann erkennen, ob ein Programm- oder Löschvorgang abgeschlossen ist, indem es den RY/BY#-Stift überwacht oder die Statusbits DQ7 (Data# Polling) und DQ6 (Toggle) liest. Nachdem ein Programm- oder Löschzyklus abgeschlossen ist, ist das Gerät bereit, Array-Daten zu lesen oder einen anderen Befehl zu akzeptieren.
Das Gerät bietet eine Zugriffszeit von 55 ns, sodass Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren ohne Wartezustände betrieben werden können. Zur Beseitigung von Bus-Konflikten verfügt das Gerät über separate Steuerelemente für Chip-Aktivierung (CE#), Schreibfreigabe (WE#) und Ausgangsfreigabe (OE#).
Die Geräteprogrammierung erfolgt durch Ausführen der Programmbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Program-Algorithmus ein interner Algorithmus gestartet, der automatisch die Programm-Impulsbreiten einstuft und den korrekten Zellenrand verifiziert. Der Unlock Bypass-Modus faster Programmierzeiten, da nur zwei Schreibzyklen zum Programmieren von Daten anstelle von vier benötigt werden.
Das Löschen des Geräts erfolgt durch Ausführen der Löschbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Erase-Algorithmus gestartet, ein interner Algorithmus, der das Array automatisch vorprogrammiert (wenn es nicht bereits programmiert ist), bevor der Löschvorgang ausgeführt wird. Während des Löschvorgangs setzt das Gerät automatisch eine Zeitmessung der Löschimpulsbreiten ein und prüft den korrekten Zellenrand. Das Hostsystem kann erkennen, ob ein Programm- oder Löschvorgang abgeschlossen ist, indem es den RY/BY#-Stift überwacht oder die Statusbits DQ7 (Data# Polling) und DQ6 (Toggle) liest. Nachdem ein Programm- oder Löschzyklus abgeschlossen ist, ist das Gerät bereit, Array-Daten zu lesen oder einen anderen Befehl zu akzeptieren.
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