Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 MB x 8 Bit, CFI, 70ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 193-8784
- Herst. Teile-Nr.:
- S29AL008J70TFI013
- Hersteller:
- Infineon
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- S29AL008J70TFI013
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 8MBit | |
| Interface-Typ | CFI | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Organisation | 1 MB x 8 Bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Zellen-Typ | NOR | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Block-Organisation | Asymmetrisch | |
| Länge | 12mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 18.4mm | |
| Abmessungen | 18.4 x 12 x 1.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 1M | |
| Serie | S29AL | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 8MBit | ||
Interface-Typ CFI | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Organisation 1 MB x 8 Bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Zellen-Typ NOR | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Block-Organisation Asymmetrisch | ||
Länge 12mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 18.4mm | ||
Abmessungen 18.4 x 12 x 1.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 1M | ||
Serie S29AL | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Der S29AL008J ist ein 8-Mbit/s-3.0-Flash-Speicher, der als 1.048.576 Byte oder 524.288 Wörter organisiert ist. Das Gerät wird in 48-Ball Fine-pitch-BGA- (0,8 mm Rastermaß) und 48-poligen TSOP-Gehäusen angeboten. Die wortweiten Daten (x16) werden auf DQ15-DQ0 angezeigt, die byteweiten (x8) Daten auf DQ7-DQ0. Dieses Gerät wurde für die systeminterne Programmierung mit der 3,0-Volt-VCC-Standardversorgung des Systems entwickelt. Für Schreib- oder Löschvorgänge sind keine 12,0 V VPP oder 5,0 VCC erforderlich. Das Gerät kann auch in Standard-EPROM-Programmiergeräten programmiert werden.
Das Gerät bietet Zugriffszeiten von bis zu 55 ns, sodass Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren ohne Wartezustände betrieben werden können. Zur Beseitigung von Bus-Konflikten verfügt das Gerät über separate Steuerelemente für Chip-Aktivierung (CE#), Schreibfreigabe (WE#) und Ausgangsfreigabe (OE#).
Die Geräteprogrammierung erfolgt durch Ausführen der Programmbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Program-Algorithmus ein interner Algorithmus gestartet, der automatisch die Programm-Impulsbreiten einstuft und den korrekten Zellenrand verifiziert. Der Unlock Bypass-Modus faster Programmierzeiten, da nur zwei Schreibzyklen zum Programmieren von Daten anstelle von vier benötigt werden.
Das Löschen des Geräts erfolgt durch Ausführen der Löschbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Erase-Algorithmus gestartet, ein interner Algorithmus, der das Array automatisch vorprogrammiert (wenn es nicht bereits programmiert ist), bevor der Löschvorgang ausgeführt wird. Duringerase, das Gerät misst automatisch die Löschimpulsbreiten und prüft den richtigen Zellenrand. Das Hostsystem kann erkennen, ob ein Programm- oder Löschvorgang abgeschlossen ist, indem es den RY/BY#-Stift überwacht oder die Statusbits DQ7 (Data# Polling) und DQ6 (Toggle) liest. Nachdem ein Programm- oder Löschzyklus abgeschlossen ist, ist das Gerät bereit, Array-Daten zu lesen oder einen anderen Befehl zu akzeptieren.
Das Gerät bietet Zugriffszeiten von bis zu 55 ns, sodass Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren ohne Wartezustände betrieben werden können. Zur Beseitigung von Bus-Konflikten verfügt das Gerät über separate Steuerelemente für Chip-Aktivierung (CE#), Schreibfreigabe (WE#) und Ausgangsfreigabe (OE#).
Die Geräteprogrammierung erfolgt durch Ausführen der Programmbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Program-Algorithmus ein interner Algorithmus gestartet, der automatisch die Programm-Impulsbreiten einstuft und den korrekten Zellenrand verifiziert. Der Unlock Bypass-Modus faster Programmierzeiten, da nur zwei Schreibzyklen zum Programmieren von Daten anstelle von vier benötigt werden.
Das Löschen des Geräts erfolgt durch Ausführen der Löschbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Erase-Algorithmus gestartet, ein interner Algorithmus, der das Array automatisch vorprogrammiert (wenn es nicht bereits programmiert ist), bevor der Löschvorgang ausgeführt wird. Duringerase, das Gerät misst automatisch die Löschimpulsbreiten und prüft den richtigen Zellenrand. Das Hostsystem kann erkennen, ob ein Programm- oder Löschvorgang abgeschlossen ist, indem es den RY/BY#-Stift überwacht oder die Statusbits DQ7 (Data# Polling) und DQ6 (Toggle) liest. Nachdem ein Programm- oder Löschzyklus abgeschlossen ist, ist das Gerät bereit, Array-Daten zu lesen oder einen anderen Befehl zu akzeptieren.
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