Winbond W29N Flash-Speicher 1Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, 25μs, VFBGA, 63-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

RS Best.-Nr.:: 188-2794P
Herst. Teile-Nr.:: W29N01HVBINF
Hersteller:: Winbond

Winbond W29N Flash-Speicher 1Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, 25μs, VFBGA, 63-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:: 188-2794P
Herst. Teile-Nr.:: W29N01HVBINF
Hersteller:: Winbond

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Winbond
	Speicher Größe	1Gbit
	Interface-Typ	Parallel
	Gehäusegröße	VFBGA
	Pinanzahl	63
	Organisation	128M x 8 Bit
	Montage-Typ	SMD
	Zellen-Typ	SLC NAND
	Arbeitsspannnung min.	2,7 V
	Arbeitsspannnung max.	3,6 V
	Block-Organisation	Symmetrisch
	Länge	11.1mm
	Höhe	0.6mm
	Breite	9.1mm
	Abmessungen	11.1 x 9.1 x 0.6mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Anzahl der Wörter	128M
	Serie	W29N
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Zugriffszeit max.	25µs

	Alle auswählen
	Marke Winbond
	Speicher Größe 1Gbit
	Interface-Typ Parallel
	Gehäusegröße VFBGA
	Pinanzahl 63
	Organisation 128M x 8 Bit
	Montage-Typ SMD
	Zellen-Typ SLC NAND
	Arbeitsspannnung min. 2,7 V
	Arbeitsspannnung max. 3,6 V
	Block-Organisation Symmetrisch
	Länge 11.1mm
	Höhe 0.6mm
	Breite 9.1mm
	Abmessungen 11.1 x 9.1 x 0.6mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Anzahl der Wörter 128M
	Serie W29N
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Zugriffszeit max. 25µs

Datasheet W29N01HVBINF

Ursprungsland:: TW

Dichte: 1 Gbit (Einzelchip-Lösung)
VCC: 2,7 V bis 3,6 V
Busbreite: X8
Betriebstemperatur
Industrie: –40 °C bis 85 °C
Single-Level-Cell (SLC)-Technologie.
Organisation
Dichte: 1 G-Bit/128 M-Byte
Seitengröße
2.112 Byte (2048 + 64 Byte)
Blockgröße
64 Seiten (128K + 4K Byte)
Höchste Leistung
Leseleistung (max.)
Zufälliges Lesen: 25 us
Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns
Schreiblösch-Funktion
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1)
10 Jahre Datenspeicherung
Befehlssatz
Standard-NAND-Befehlssatz
Zusätzliche Befehlsunterstützung
Kopieren Sie zurück
Niedrigste Leistungsaufnahme
Lesen: 25 mA (typ. 3 V),
Programmieren/Löschen: 25 mA (typ. 3 V),
CMOS-Standby: 10 μA (typ.)
Platzsparende Verpackung
48-poliger Standard-TSOP1
48-Ball-VFBGA
63-Kugel-VFBGA

1 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.

Busbreite: X8
Zufälliges Lesen: 25us
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)