Microchip 1 MB EEPROM, SPI Interface, SOIC, 80 ns Oberfläche 128 x 8 bit, 128 x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 236-8826
- Herst. Teile-Nr.:
- AT25M01-SSHM-B
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Organisation | 128 x 8 bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | AT25M0 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Wörter | 128 | |
| Versorgungsstrom | 10mA | |
| Zugriffszeit max. | 80ns | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Datenspeicherung | 100Jahr | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Organisation 128 x 8 bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie AT25M0 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Wörter 128 | ||
Versorgungsstrom 10mA | ||
Zugriffszeit max. 80ns | ||
Automobilstandard Nein | ||
Datenspeicherung 100Jahr | ||
Der Microchip 1.048.576 Bit serieller elektrisch löschbarer und programmierbarer Nur-Lese-Speicher (EEPROM) ist als 131.072 Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Das Gerät ist für den Einsatz in vielen industriellen und gewerblichen Anwendungen optimiert, bei denen ein Betrieb mit niedriger Leistung und niedriger Spannung unerlässlich ist.
128 K x 8 Bit 1 Mbit
Unterstützt SPI-Modi 0 und 3
Bis zu 20 MHz Taktfrequenz
Selbstzeitgesteuerte Lösch- und Schreibzyklen: Max. 5 ms
Lesestrom: Max. 10 mA bei 20 MHz
Schreibstrom: 7 mA max. Bei 5 V
Standby-Strom: Max. 3 μA bei 1,7 V, max. 5 μA bei 5 V
Blockschreibschutz schützt 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Mehr als 1 Million Lösch-/Schreibzyklen
Datenspeicherung 100 Jahre
Industrie: -40 °C bis 85 °C.
Werkseitige Programmierung verfügbar
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